温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

元器件商城 >

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

厂商名称：Vishay

SI2301CDS-T1-GE3图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，3.1 A，0.09 ohm，SOT-23，表面安装

英文描述：

P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM 4.5V-LEAD(PB)AND HALOGEN FREE

数据手册：

在线购买：立即购买

SI2301CDS-T1-GE3概述

SI2301CDS-T1-GE3是20VDSTrenchFET®P通道增强模式功率MOSFET，适用于负载开关应用。

无卤素

-55至150°C工作温度范围

应用

工业，电源管理

SI2301CDS-T1-GE3中文参数

通道类型	P	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	2.3 A	最大栅源电压	-8 V、+8 V
最大漏源电压	20 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	SOT-23	晶体管材料	Si
安装类型	表面贴装	长度	3.04mm
引脚数目	3	宽度	1.4mm
最大漏源电阻值	112 mΩ	最低工作温度	-55 °C
通道模式	增强	典型栅极电荷@Vgs	3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V
最小栅阈值电压	0.4V	高度	1.02mm
最大功率耗散	860 mW	最高工作温度	+150 °C

SI2301CDS-T1-GE3引脚图

SI2301CDS-T1-GE3引脚图

热门型号推荐

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

56万现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站

面板定制	MRO工业品	嘉立创社区	立创ERP	嘉立创FPC	立创电子设计大赛	立创开源硬件	Global Website LCSC
中信华PCB

© 2022 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content